[b]«Оптические» методы определения е и tg 8 диэлектриков

В общем случае при измерении коэффициента отражения от плоскопараллельного образца конечной толщины необходимо учитывать многократные отражения от обеих поверхностей образца.

Как видно из выражений (166) и (167), коэффициенты отражения и прозрачности в случае материала с потерями имеют комплексный характер, т. е. имеется сдвиг фаз между падающей и отраженной (или прошедшей) волнами. Измерение сдвига фазы проходящего сигнала осуществляется с помощью измерительной линии, включенной между антенной приемника и его индикаторным устройством или путем смещения всего приемника. Эта методика, связанная с наблюдением интерференционной картины, имеет много общего с волноводными методами измерения проницаемости.

Рассмотрим методы измерения е, tg б диэлектриков на сверхвысоких частотах, используя полученные соотношения.

Для изучения диэлектрических свойств вещества в диапазоне сантиметровых волн (диапазон частот от 3000 до 30 000 мгц) могут быть использованы резонансные и волноводные методы. Идея их состоит в наблюдении резонансной частоты и добротности резонатора без диэлектрического образца, а затем с образцом. При переходе к коротковолновому участку сантиметрового диапазона различные модификации коаксиальных линий и пр. заменяются принципиально новыми методами – оптическими, в которых используется распространение волн в свободном пространстве.

Приведенный выше диапазон частот, примыкающий к оптическому, является наиболее интересным, так как именно в этом диапазоне располагаются области дисперсии многих веществ.