Прилипание пузырьков газовой фазы к растущей поверхности

Прилипание пузырьков газовой фазы к растущей поверхности

Если жидкая фаза А пересыщена другой жидкой фазой Б и при этом происходит выделение Б, то процесс заключается в выделении пузырьков, капелек или других субсферических форм внутри непрерывной фазы А, однако зародыши фазы Б образуются обычно на границах раздела фазы А. Например, пузырьки двуокиси углерода в насыщенной ею воде легче выделяются на стенка сосуда и на твердых инородных частицах, чем в воде, несмотря на то, что вода смачивает эти поверхности лучше, чем двуокись .углерода. Поэтому на поверхности растущего кристалла возможно зарождение пузырьков газовой фазы, выделяющейся из жидкости, после чего некоторые из них захватываются при движении ступенек роста по этой поверхности. Описанное явление может объяснить присутствие в одном кристалле и даже в одной плоскости роста водных включений, содержащих различные количества двуокиси углерода. Этот механизм удовлетворительно объясняет также присутствие включений газа на плоскостях роста порфировых вкрапленников в лавах.

Интересно отметить, что непостоянство отношения объемов газа и жидкости во многих образцах, кварца было использовано для дискредитации ранней работы Сооби, к которому пишущий питает чувство глубокого уважения, как к ученому, столь эффективно соединившему научные прогнозы с точными исследованиями в развитии новой ветви геологии. Последние работы показывают, что включения, содержащие и воду и двуокись углерода при непостоянном отношении их количеств (что имеет своей причиной 98 несмешиваемость этих двух фаз в процессе кристаллизации), являются весьма полезными для определения температуры и давления в процессе кристаллизации минерала-хозяина.