Неполное смыкание ступеней роста

Неполное смыкание ступеней роста

Теории роста эвгедральных кристаллов основываются на данных, указывающих, что рост граней происходит ступенчато и при этом направление роста не перпендикулярно (как в старых классических теориях), а параллельно граням. Поэтому раствор на поверхности кристалла может быть недосыщенным по отношению к самой грани, но пресыщенным для отдельных (часто микроскопических) ступенек на ее поверхности.

Если рост кристалла происходит путем последовательного ступенчатого развития граней, то при наличии более чем одного источника растущих ступеней должно возникнуть некоторое несоответствие между последовательными слоями роста и элементами одного слоя.

Отсюда два возможных типа захвата больших количеств маточного раствора: а) в положении, параллельном граням кристалла, и б) перпендикулярном к ним. Эти два типа обычно встречаются вместе и носят соответственно названия: «включения, параллельные растущим граням», и «включения, расположенные на границах слоев растущей грани».

а) Включения, расположенные параллельно граням кристалла. Включения маточного раствора часто дают возможность судить об изменениях габитуса кристалла в процессе его роста, так как количество жидкости, захваченной на разных стадиях роста, различно. Обычно считают, что плоскости со множеством включений характеризуют периоды более быстрого роста и потому имеют менее совершенные растущие слои. Считается, что в любом кристалле, в котором существуют области с различным количеством жидких включений, более мелкие включения располагаются с большей плотностью.

Кроме того, более поздние слои пористых кристаллов (кристаллов, содержащих пустоты) имеют тенденцию к уменьшению количества включений этого типа по сравнению с ранними слоями (например, чистые вершинки кристаллов молочного кварца).

Включения описанного типа часто имеют неправильную форму, но иногда расплющены вдоль плоскости расположения включений. В дальнейшем они часто рекристаллизуются и образуют отрицательные кристаллы минерала-хозяина.

б) Включения, перпендикулярные граням. Межслоевые включения стремятся вытянуться параллельно межслоевым границам, но могут быть более или менее рекристаллизовавшимися и образовывать отрицательные кристаллы минерала-хозяина. Их можно узнать по неопределенному, ветвистому, но субпараллельному строению и более или менее перпендикулярному расположению относительно граней кристалла. Дальнейшее определение состоит в установлении параллельности между направлениями расположения включений и элементами ветвления, если последние могут быть определены оптическим путем.

См. также:  Методы, подлежащие развитию в термометрии