Включения, содержащие при комнатной температуре только кристаллы

Включения, содержащие при комнатной температуре только кристаллы

Сорби различал включения горной породы и включения кристаллов, хотя не ясно, придавал ли он этому делению генетическое значение. В некоторых случаях бывает важно различить включения одиночных кристаллов и групп кристаллов, этот вопрос будет рассмотрен в дальнейшем.

а)   Вросшие кристаллы+пузырек (пузырьки). Включения, состоящие из вросших игольчатых кристалликов с одним или несколькими пузырьками газа, образовались, вероятно, в результате расстеклования двухфазовых включений стекла или при кристаллизации жидкости до превращения ее в твердое стекло. Для этой пр.уппы включений характерно увеличение процентного содержания стекловатых включений но мере уменьшения размеров включений.

Включения другой группы образовались при обрастании порфировыми вкрапленниками участков частично закристаллизовавшейся, но чрезвычайно мелкозернистой лавы или магмы. Возможность такого происхождения подтверждают многочисленны примеры, указывающие на сходство составов и структур включенного материала и самой породы. Величина зерен во включенном материале (в пределах точности измерений) постоянна и не зависит от размеров включения. Присутствие газового пузырька во включениях этой группы не обязательно.

б)  Вросшие кристаллы. Включения горной породы обычны в метаморфических минералах и в некоторых гидротермальных минералах, образовавшихся при замещении в призальбандовых частях жил. ,В некоторых случаях было показано, что структура породы, включенной в метакристаллы, сходна со структурой вмещающей породы, которой последняя обладает в настоящее время или обладала на ранних стадиях метаморфизма.

Минералы, которые растут при замещении, содержат большое число включений первичной породы, от больших кусков до более мелких кристаллических зерен и микроскопических кристаллических частичек. Другими словами, наблюдаются все промежуточные типы между скелетными кристаллами и кристаллами, которые содержат лишь небольшое количество маленьких частичек минералов.

в) Одиночные или расположенные группами эвгедральные и субгедральные кристаллы. Сюда относятся ориентированные и неориентированные по отношению к кристаллу-хозяину включения кристаллов. Характер распределения их свидетельствует, что они образовались либо при одновременном росте включений и кристалла-хозяина, либо при захвате кристаллом-хозяином уже сформировавшихся кристаллов. Включения последнего типа можно рассматривать как предельный случай включений, обсуждавшихся выше в разделе «б». Включения первого типа (независимо от того, установлен ли точно механизм захвата или нет) имеют характерный вид и ориентировку.

См. также:  Присутствие жидких включений в доломите и в кварце

Кристаллические включения, сформировавшиеся во время роста благодаря образованию зародышей на (или около) растущих гранях кристалла-хозяина, часто ориентированы в кристалле-хозяине относительно его кристаллографических направлений и внешней формы.

Кристаллические решетки кристалла-хозяина и кристаллов, вросших в ориентированном положении, обнаруживают химическое или геометрическое сходство. Включения, как правило, представляют собой предельно тонкие пластинки, расположенные параллельно граням роста кристалла-хозяина. Эти черты свойственны и кристаллам, образовавшимся при экссолюции; включения, образовавшиеся в процессе роста, также весьма сильно нарушают однородность кристалла-хозяина. Такие включения располагаются как вдоль грани, так и поперек нарастающих на ней слоев. В некоторых случаях доказано, что плоскости в кристалле-хозяине, содержащие пластинчатые включения, не являются плоскостями роста; следовательно, можно считать, что эти включения сформировались после кристаллизации, в процессе экссолютивного выпадения. В некоторых же случаях включенные кристаллы захватываются во время роста; иногда следует предполагать действие двойного механизма (окислы железа в мусковите, халькопирит в сфалерите).

Сорби высказал мнение о том, что исследование Р-У-Т-соотношений для кристаллических включений важно для определения давления и температуры во время кристаллизации кристалла-хозяина. Этот метод не разработан вследствие трудностей измерений и недостатка точных Р-У-Т-данных для минералов.

Задача состоит в том, чтобы найти метод определения температуры и давления, при которых относительные объемы включений и пустот в кристалле-хозяине, содержащих эти включения, были бы одинаковыми. Эта задача сводится к отысканию таких значений Т-Р, при которых напряжения вокруг включений отсутствовали бы. Для заданного типа включений, обладающих сходной ориентировкой, однозначного решения не существует; решение может быть найдено, если в распоряжении имеются анизотропные включения различной ориентировки или включения более чем одного типа.Механизмы захвата минералом включений газов, жидкостей, стекла и кристаллов описаны в следующих разделах:

См. также:  Драгоценные камни и их отделение

1. Заполнение дендритов.

2. Неполное смыкание ступеней роста:

а)   включения, расположенные параллельно граням кристалла;

б)  включения, перпендикулярные граням.

3) Прилипание пузырьков газовой фазы к растущей поверхности.

4. Прилипание кристалликов к растущей поверхности.

5. Рекристаллизация изъянов.

6. Рекристаллизация эпигенетических трещин.

7. Заполнение включения жидкостью или потеря последней.